<吸収係数>
下の図は、
電子が多数存在する価電子帯の頂上(Ev)と,
電子がほとんど存在しない伝導帯(または導電帯)の底(Ec)との間の電子が
存在できない禁制帯の幅(バンドギャップ;Eg=Ev-Ec)と
光エネルギー( ν h )との大小関係による半導体の光吸収の図。
光エネルギーが半導体の禁制帯幅より小さい場合、
光は半導体で吸収されない。
一方、光エネルギーの方が大きい場合、光は半導体に吸収され、
電子と正孔との対が生成される。
したがって、半導体に吸収される太陽光の最低のエネルギーは、半導体の禁制帯幅によって決定される。
光吸収係数とは、式
I=I0exp(−αx)
で定義され、光(フォトン)が半導体に吸収され、
入射した光強度(I0)が
ちょうど1/e倍(つまりI0/e倍)になる距離の逆数を意味する。
ただし、e≅2.718である。
光吸収係数は半導体によって固有の値を持ち、αで表される。
上記の式より、logをとると、
logI=(−αx)logI0
−αx=logT
(T=I/I0)
※T=透過率
・・・・・・・・・・・・あってんのかな。。。。コレ・・・・・
だって、今日お風呂で数学1Aの参考書読んだらむずかしかったもん。
<ゼーベック効果>
2つの異なる金属をつなげて、
両方の接点に温度差を与えると、金属の間に電圧が発生し、電流が流れます。
これは、光触媒の効果でもっとたくさん電流が流れるようになるのでしょうか????
<ホール効果>
これは、みんなしってるか・・・・・・・
てか、どれもみんなしってるか・・・・・・・・・
ハツが知らなかったkら調べただけです・・・・・・・・・
下の図は、
電子が多数存在する価電子帯の頂上(Ev)と,
電子がほとんど存在しない伝導帯(または導電帯)の底(Ec)との間の電子が
存在できない禁制帯の幅(バンドギャップ;Eg=Ev-Ec)と
光エネルギー( ν h )との大小関係による半導体の光吸収の図。
光エネルギーが半導体の禁制帯幅より小さい場合、
光は半導体で吸収されない。
一方、光エネルギーの方が大きい場合、光は半導体に吸収され、
電子と正孔との対が生成される。
したがって、半導体に吸収される太陽光の最低のエネルギーは、半導体の禁制帯幅によって決定される。
光吸収係数とは、式
I=I0exp(−αx)
で定義され、光(フォトン)が半導体に吸収され、
入射した光強度(I0)が
ちょうど1/e倍(つまりI0/e倍)になる距離の逆数を意味する。
ただし、e≅2.718である。
光吸収係数は半導体によって固有の値を持ち、αで表される。
上記の式より、logをとると、
logI=(−αx)logI0
−αx=logT
(T=I/I0)
※T=透過率
・・・・・・・・・・・・あってんのかな。。。。コレ・・・・・
だって、今日お風呂で数学1Aの参考書読んだらむずかしかったもん。
<ゼーベック効果>
2つの異なる金属をつなげて、
両方の接点に温度差を与えると、金属の間に電圧が発生し、電流が流れます。
これは、光触媒の効果でもっとたくさん電流が流れるようになるのでしょうか????
<ホール効果>
これは、みんなしってるか・・・・・・・
てか、どれもみんなしってるか・・・・・・・・・
ハツが知らなかったkら調べただけです・・・・・・・・・
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